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Rafael Deliano
Guest
Thu Feb 25, 2010 9:45 am
Quote:
Ist die Diode hier denn noch noetig?
Eventuell als Temperaturkompensation gedacht.
Funktioniert recht gut, macht 1usec Tr,Tf:
http://www.embeddedFORTH.de/temp/trap7.pdf
Woher die Verzögerung zum TTL-Signal bei der
einen Flanke kommt weiß ich nicht. Eventuell
Sättigung des Transistors oder die Stromquelle
oben. Für EPROMer/PROMer ist eh nie
Pulsbreite im usec Bereich gefordert.
Sättigung ist mit BC334-140 mit 42mV tatsächlich
recht niedrig.
MfG JRD
Michael Rübig
Guest
Thu Feb 25, 2010 10:17 am
Am 25.02.2010 09:45, schrieb Rafael Deliano:
Quote:
Ist die Diode hier denn noch noetig?
Eventuell als Temperaturkompensation gedacht.
Funktioniert recht gut, macht 1usec Tr,Tf:
http://www.embeddedFORTH.de/temp/trap7.pdf
Woher die Verzögerung zum TTL-Signal bei der
einen Flanke kommt weiß ich nicht. Eventuell
Sättigung des Transistors
Sättigung. Man muss bei sowas den Basisstrom so auslegen, dass er gerade
so ausreicht. Je höher man den Transistor übersteuert, desto niedriger
ist sein Sättigungsspannung aber desto höher ist das Delay beim Abschalten.
74LS Gattern verhindert man das Sättigen mit einer Schottky-Diode. Für
Dich kommt das aber vermutlich nicht in Frage.
Michael
Rafael Deliano
Guest
Thu Feb 25, 2010 11:43 am
Quote:
Sättigung. ... Schottky-Diode. Für
Dich kommt das aber vermutlich nicht in Frage.
Hat Bipolar-Transistor eben anderswo kleinen
Pferdefuß, selbst wenn Ube nicht streut und
Sättigung ausreicht.
Eigentlich tuts mir die Fet-Schaltung.
MfG JRD
Oliver Betz
Guest
Thu Feb 25, 2010 8:03 pm
Rafael Deliano schrieb:
Quote:
Ist die Diode hier denn noch noetig?
Eventuell als Temperaturkompensation gedacht.
braucht's nicht.
Quote:
Funktioniert recht gut, macht 1usec Tr,Tf:
Sagte ich doch schon am Montag.
Quote:
http://www.embeddedFORTH.de/temp/trap7.pdf
Woher die Verzögerung zum TTL-Signal bei der
einen Flanke kommt weiß ich nicht. Eventuell
Sättigung des Transistors oder die Stromquelle
Es _ist_ die Sättigung. Notfalls gäbe es dagegen noch spezielle
Transistoren, lohnt hier aber nicht.
Quote:
oben. Für EPROMer/PROMer ist eh nie
Pulsbreite im usec Bereich gefordert.
Sättigung ist mit BC334-140 mit 42mV tatsächlich
recht niedrig.
Und wenn Du jetzt noch meinen Vorschlag von gestern probierst
(Integrierer an Plus und Pulldown), hast Du "gar keine" Restspannung
mehr und immer noch so schöne Flanken.
Und weniger Pferdefüße als bei der FET-Schaltung.
Servus
Oliver
--
Oliver Betz, Munich
despammed.com might be broken, use Reply-To:
Winfried Salomon
Guest
Thu Feb 25, 2010 11:03 pm
Hallo Andreas,
Andreas Graebe schrieb:
Quote:
Winfried Salomon wrote:
Zum Abschalten müßte man wohl eine Schottky-Diode nehmen, man kann die
Schaltung noch verbessern:
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(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
Je höher das Beta des Transistors, desto geringer die
Sättigungsspannung, ansonsten sehe ich keinen Einfluß. Wie sich die
Temperatur hier auswirkt, habe ich mir nicht angesehen.
mfg Winfried
Ist die Diode hier denn noch noetig?
ja stimmt, die kann man weglassen, hab ich übersehen.
mfg Winfried
Winfried Salomon
Guest
Thu Feb 25, 2010 11:33 pm
Hallo Rafael,
Rafael Deliano schrieb:
Quote:
ah, stimmt ja gut mit der Simulation überein, interessant den Vergleich
mal zu sehen.
Quote:
Woher die Verzögerung zum TTL-Signal bei der
einen Flanke kommt weiß ich nicht. Eventuell
Sättigung des Transistors oder die Stromquelle
oben. Für EPROMer/PROMer ist eh nie
Pulsbreite im usec Bereich gefordert.
Sättigung ist mit BC334-140 mit 42mV tatsächlich
recht niedrig.
Auch das stimmt fast exakt überein, das ist die Sättigung des bipolaren
Transistors. Falls das stören sollte, könnte man noch das machen:
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(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
Dann schaltet er schnell ab, allerdings ist dann die Sättigunggsspannung
deutlich größer, der Nachteil von bipolaren Transistoren. Sie könnte
dann je nach Exemplar zwischen 90-140 mV liegen, wenn die Simulation
stimmt. Eine Möglichkeit zur Verbesserung sehe ich da nicht.
mfg Winfried
Joerg
Guest
Thu Feb 25, 2010 11:39 pm
Winfried Salomon wrote:
Quote:
Hallo Rafael,
Rafael Deliano schrieb:
Ist die Diode hier denn noch noetig?
Eventuell als Temperaturkompensation gedacht.
Funktioniert recht gut, macht 1usec Tr,Tf:
http://www.embeddedFORTH.de/temp/trap7.pdf
ah, stimmt ja gut mit der Simulation überein, interessant den Vergleich
mal zu sehen.
Woher die Verzögerung zum TTL-Signal bei der
einen Flanke kommt weiß ich nicht. Eventuell
Sättigung des Transistors oder die Stromquelle
oben. Für EPROMer/PROMer ist eh nie
Pulsbreite im usec Bereich gefordert.
Sättigung ist mit BC334-140 mit 42mV tatsächlich
recht niedrig.
Auch das stimmt fast exakt überein, das ist die Sättigung des bipolaren
Transistors. Falls das stören sollte, könnte man noch das machen:
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(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
Dann schaltet er schnell ab, allerdings ist dann die Sättigunggsspannung
deutlich größer, der Nachteil von bipolaren Transistoren. Sie könnte
dann je nach Exemplar zwischen 90-140 mV liegen, wenn die Simulation
stimmt. Eine Möglichkeit zur Verbesserung sehe ich da nicht.
Aehm, sollte dort nicht eine Schottky hin? BAT54 laesst gruessen, schoen
billisch :-)
--
Gruesse, Joerg
http://www.analogconsultants.com/
"gmail" domain blocked because of excessive spam.
Use another domain or send PM.
Winfried Salomon
Guest
Fri Feb 26, 2010 12:09 am
Hallo Joerg,
Joerg schrieb:
[.....]
Quote:
Auch das stimmt fast exakt überein, das ist die Sättigung des
bipolaren Transistors. Falls das stören sollte, könnte man noch das
machen:
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(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
weiß jemand, was der Seamonkey 2.03 bei mir da macht? Das war doch
bisher nicht so

.
Quote:
Dann schaltet er schnell ab, allerdings ist dann die
Sättigunggsspannung deutlich größer, der Nachteil von bipolaren
Transistoren. Sie könnte dann je nach Exemplar zwischen 90-140 mV
liegen, wenn die Simulation stimmt. Eine Möglichkeit zur Verbesserung
sehe ich da nicht.
Aehm, sollte dort nicht eine Schottky hin? BAT54 laesst gruessen, schoen
billisch :-)
Dann geht die Sättigungsspannung auf 0.5 V hoch, ich hab mal eins der
LTSpice-Modelle angehängt.
mfg Winfried
Version 4
SHEET 1 884 948
WIRE 16 -848 -384 -848
WIRE 144 -848 16 -848
WIRE 272 -848 144 -848
WIRE -384 -736 -384 -848
WIRE 16 -656 16 -848
WIRE 272 -656 272 -848
WIRE 144 -640 144 -848
WIRE -384 -592 -384 -656
WIRE 16 -544 16 -576
WIRE 272 -544 272 -576
WIRE 16 -416 16 -464
WIRE 272 -416 272 -464
WIRE 128 -368 80 -368
WIRE 144 -368 144 -576
WIRE 144 -368 128 -368
WIRE 208 -368 144 -368
WIRE 16 -272 16 -320
WIRE 16 -128 16 -192
WIRE 144 -128 144 -368
WIRE 144 -128 16 -128
WIRE 272 -128 272 -320
WIRE 16 -80 16 -128
WIRE 16 48 16 0
WIRE 16 192 16 128
WIRE 272 256 272 -48
WIRE 272 256 -96 256
WIRE 448 256 272 256
WIRE 592 256 448 256
WIRE 800 256 592 256
WIRE 592 288 592 256
WIRE 800 304 800 256
WIRE 272 320 272 256
WIRE 592 416 592 368
WIRE 800 416 800 368
WIRE 272 448 272 400
WIRE -96 464 -96 256
WIRE 192 608 176 608
WIRE 272 608 272 528
WIRE 272 608 256 608
WIRE -368 656 -576 656
WIRE -96 656 -96 528
WIRE -96 656 -288 656
WIRE 272 656 272 608
WIRE 176 704 176 608
WIRE 208 704 176 704
WIRE -832 736 -928 736
WIRE -688 736 -768 736
WIRE -576 736 -576 656
WIRE -576 736 -688 736
WIRE -368 736 -464 736
WIRE -96 736 -96 656
WIRE -96 736 -288 736
WIRE -16 736 -96 736
WIRE 48 736 -16 736
WIRE 176 736 176 704
WIRE 176 736 128 736
WIRE -464 784 -464 736
WIRE -928 800 -928 736
WIRE 272 800 272 752
WIRE -928 928 -928 880
FLAG 272 800 0
FLAG 592 416 0
FLAG -928 928 0
FLAG 16 192 0
FLAG -384 -592 0
FLAG 448 256 drain
FLAG -16 736 gate
FLAG 800 416 0
FLAG -688 736 input
FLAG 128 -368 base
FLAG -464 784 0
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 256 -672 R0
SYMATTR InstName R1
SYMATTR Value 18
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 576 272 R0
SYMATTR InstName R3
SYMATTR Value 1.3k
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor -272 720 R90
WINDOW 0 5 56 VBottom 0
WINDOW 3 27 56 VTop 0
SYMATTR InstName R4
SYMATTR Value 470
SYMBOL voltage -928 784 R0
WINDOW 123 0 0 Left 0
WINDOW 39 0 0 Left 0
SYMATTR InstName V1
SYMATTR Value PULSE(0 5 100n 100n 100n 5u 10u)
SYMBOL voltage -384 -752 R0
WINDOW 123 0 0 Left 0
WINDOW 39 0 0 Left 0
SYMATTR InstName V2
SYMATTR Value 26.25
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 0 32 R0
SYMATTR InstName R2
SYMATTR Value 6.8k
SYMBOL cap 784 304 R0
SYMATTR InstName C1
SYMATTR Value 1000f
SYMBOL Digital\\inv -832 672 R0
SYMATTR InstName A1
SYMATTR SpiceLine vhigh=5 trise=10n tfall=10n
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 256 432 R0
SYMATTR InstName R5
SYMATTR Value 1
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 144 720 R90
WINDOW 0 5 56 VBottom 0
WINDOW 3 27 56 VTop 0
SYMATTR InstName R6
SYMATTR Value 1
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 0 -672 R0
SYMATTR InstName R7
SYMATTR Value 180
SYMBOL cap -112 464 R0
SYMATTR InstName C2
SYMATTR Value 50p
SYMBOL Misc\\EuropeanResistor -272 640 R90
WINDOW 0 5 56 VBottom 0
WINDOW 3 27 56 VTop 0
SYMATTR InstName R8
SYMATTR Value 1.2k
SYMBOL diode 192 592 M90
WINDOW 0 0 32 VBottom 0
WINDOW 3 32 32 VTop 0
SYMATTR InstName D2
SYMATTR Value 1N4148
SYMBOL user\\ebipolar\\bc557b 80 -320 R180
SYMATTR InstName Q1
SYMBOL user\\ebipolar\\bc557b 208 -320 M180
SYMATTR InstName Q2
SYMBOL cap 128 -640 R0
SYMATTR InstName C3
SYMATTR Value 330p
SYMBOL ind 0 -560 R0
SYMATTR InstName L1
SYMATTR Value 10n
SYMBOL ind 256 -560 R0
SYMATTR InstName L2
SYMATTR Value 10n
SYMBOL ind 0 -288 R0
SYMATTR InstName L3
SYMATTR Value 10n
SYMBOL ind 0 -96 R0
SYMATTR InstName L4
SYMATTR Value 10n
SYMBOL ind 256 -144 R0
SYMATTR InstName L5
SYMATTR Value 10n
SYMBOL ind 256 304 R0
SYMATTR InstName L6
SYMATTR Value 10n
SYMBOL user\\ebipolar\\bc337-16 208 656 R0
SYMATTR InstName Q3
TEXT -320 -1112 Left 0 ;Eprom-Brenner mit Schwingen auf fallender Flanke
TEXT -936 152 Left 0 !.tran 0 16u 0 10n
TEXT -928 112 Left 0 !.lib ebipolar.lib
Joerg
Guest
Fri Feb 26, 2010 1:10 am
Winfried Salomon wrote:
Quote:
Hallo Joerg,
Joerg schrieb:
[.....]
Auch das stimmt fast exakt überein, das ist die Sättigung des
bipolaren Transistors. Falls das stören sollte, könnte man noch das
machen:
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GND GND
(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
weiß jemand, was der Seamonkey 2.03 bei mir da macht? Das war doch
bisher nicht so

.
Vielleicht die Zeilenlaenge verstellen?
Quote:
Dann schaltet er schnell ab, allerdings ist dann die
Sättigunggsspannung deutlich größer, der Nachteil von bipolaren
Transistoren. Sie könnte dann je nach Exemplar zwischen 90-140 mV
liegen, wenn die Simulation stimmt. Eine Möglichkeit zur Verbesserung
sehe ich da nicht.
Aehm, sollte dort nicht eine Schottky hin? BAT54 laesst gruessen, schoen
billisch :-)
Dann geht die Sättigungsspannung auf 0.5 V hoch, ich hab mal eins der
LTSpice-Modelle angehängt.
Stimmt, habe es mit 2N3904/3906 probiert weil BC nicht vorhanden. Nur ob
Q4 mit einer Si-Diode wirklich bei allen gaengigen Temperaturen aus der
Saettigung rausbleibt? Laut Datenblatt liegt der BC337 in Deiner
Schaltung hoch, ist aber nur fuer hohe Stroeme angegeben.
http://www.fairchildsemi.com/ds/BC%2FBC337.pdf
Wie auch immer, ich wuerde so etwas mit Opamp plus FET machen, da ist
nix mit Saettigungsproblematik.
[...]
--
Gruesse, Joerg
http://www.analogconsultants.com/
"gmail" domain blocked because of excessive spam.
Use another domain or send PM.
Michael Rübig
Guest
Fri Feb 26, 2010 10:08 am
Am 26.02.2010 00:09, schrieb Winfried Salomon:
Quote:
Hallo Joerg,
Joerg schrieb:
[.....]
Auch das stimmt fast exakt überein, das ist die Sättigung des
bipolaren Transistors. Falls das stören sollte, könnte man noch das
machen:
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GND GND
(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
weiß jemand, was der Seamonkey 2.03 bei mir da macht? Das war doch
bisher nicht so

.
Macht mein Thunderbird 3 beim Quoten seit neuestem auch.
Löscht einfach die Leerzeichen raus.
Quote:
Dann schaltet er schnell ab, allerdings ist dann die
Sättigunggsspannung deutlich größer, der Nachteil von bipolaren
Transistoren. Sie könnte dann je nach Exemplar zwischen 90-140 mV
liegen, wenn die Simulation stimmt. Eine Möglichkeit zur Verbesserung
sehe ich da nicht.
Aehm, sollte dort nicht eine Schottky hin? BAT54 laesst gruessen, schoen
billisch :-)
Dann geht die Sättigungsspannung auf 0.5 V hoch, ich hab mal eins der
LTSpice-Modelle angehängt.
Sättigung verhinderst Du nur mit einer Schottky effektiv. Mit einer
Silizium-Diode gewinnst Du vielleicht was, vielleicht auch nich, kommt
aufs Wetter an.
Geringe Sättigungsspannung und schnelle Abschaltzeit beißt sich beim
Bipolaren gewaltig.
Für niedrige Sättigungsspannung musst Du nämlich übersteuern und
gewaltig sättigen. Schnell Abschalten kannst Du einen Bipolaren aber
nur, wenn er vorher nicht gesättigt war oder wenn Du die Ladungsträger
andersweitig schnell rausbekommst. Mit Basisvorwiderstand geht das aber
nicht.
Michael
Winfried Salomon
Guest
Sat Feb 27, 2010 12:31 am
Hallo Michael,
Michael Rübig schrieb:
Quote:
Am 26.02.2010 00:09, schrieb Winfried Salomon:
Hallo Joerg,
Joerg schrieb:
[.....]
Auch das stimmt fast exakt überein, das ist die Sättigung des
bipolaren Transistors. Falls das stören sollte, könnte man noch das
machen:
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GND GND
(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
weiß jemand, was der Seamonkey 2.03 bei mir da macht? Das war doch
bisher nicht so

.
Macht mein Thunderbird 3 beim Quoten seit neuestem auch.
Löscht einfach die Leerzeichen raus.
das ist IMHO das gleiche Programm als Teilmenge. Also sieht das wieder
mal nach Verschlimmbesserung aus

. Auf ein Programm wie CAT aus der
Atari-Welt braucht man wohl nicht zu hoffen. Also versuche ich malö
gequotet einzubinden.
Quote:
Dann schaltet er schnell ab, allerdings ist dann die
Sättigunggsspannung deutlich größer, der Nachteil von bipolaren
Transistoren. Sie könnte dann je nach Exemplar zwischen 90-140 mV
liegen, wenn die Simulation stimmt. Eine Möglichkeit zur Verbesserung
sehe ich da nicht.
Aehm, sollte dort nicht eine Schottky hin? BAT54 laesst gruessen, schoen
billisch :-)
Dann geht die Sättigungsspannung auf 0.5 V hoch, ich hab mal eins der
LTSpice-Modelle angehängt.
Sättigung verhinderst Du nur mit einer Schottky effektiv. Mit einer
Silizium-Diode gewinnst Du vielleicht was, vielleicht auch nich, kommt
aufs Wetter an.
Geringe Sättigungsspannung und schnelle Abschaltzeit beißt sich beim
Bipolaren gewaltig.
Für niedrige Sättigungsspannung musst Du nämlich übersteuern und
gewaltig sättigen. Schnell Abschalten kannst Du einen Bipolaren aber
nur, wenn er vorher nicht gesättigt war oder wenn Du die Ladungsträger
andersweitig schnell rausbekommst. Mit Basisvorwiderstand geht das aber
nicht.
habe mir nochmal eine Verbesserungsmöglichkeit angesehen:
Quote:
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GND GND
(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
Hier ist eine Schottky mit Vorwiderstand drin, mit dem 330
Ohm-Widerstand läßt sich hoffentlich reproduzierbar ein Optimum
einstellen, Delay ist laut Simulation ca. 100 nS und Sättigungsspannung
90 mV. Will man das eine verringern, vergrößert sich das andere. Macht
man den 330 Ohm kleiner, geht Delay gegen 0, aber Sättigung steigt bis
0.5 V. Mit dieser Entsättigung ist obige Schaltung immer noch deutlich
besser als mit BS170 und sollte eigentlich reproduzierbar sein, aber das
würde ein Aufbau erst wirklich zeigen.
mfg Winfried
Winfried Salomon
Guest
Sat Feb 27, 2010 12:51 am
Hallo Joerg,
Joerg schrieb:
Quote:
Winfried Salomon wrote:
Hallo Joerg,
Joerg schrieb:
[.....]
Auch das stimmt fast exakt überein, das ist die Sättigung des
bipolaren Transistors. Falls das stören sollte, könnte man noch das
machen:
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.----------|___|----o ^ |
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-| >O--' .----|___|----o-----o---| BC337
|/ | 1N4148 |
| 470 |
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=== ===
GND GND
(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
weiß jemand, was der Seamonkey 2.03 bei mir da macht? Das war doch
bisher nicht so

.
Vielleicht die Zeilenlaenge verstellen?
ist auf 72 Spalten eingestellt, geändert wurde seit langem nichts am
Profil. Scheint ein Problem der neuesten Version zu sein, die auch bei
Firefox auftritt. Müßte mal sehen, ob irgendwo 1 Email-Adresse für
Bugreport zu finden ist.
Quote:
Dann schaltet er schnell ab, allerdings ist dann die
Sättigunggsspannung deutlich größer, der Nachteil von bipolaren
Transistoren. Sie könnte dann je nach Exemplar zwischen 90-140 mV
liegen, wenn die Simulation stimmt. Eine Möglichkeit zur Verbesserung
sehe ich da nicht.
Aehm, sollte dort nicht eine Schottky hin? BAT54 laesst gruessen, schoen
billisch :-)
Dann geht die Sättigungsspannung auf 0.5 V hoch, ich hab mal eins der
LTSpice-Modelle angehängt.
Stimmt, habe es mit 2N3904/3906 probiert weil BC nicht vorhanden. Nur ob
Q4 mit einer Si-Diode wirklich bei allen gaengigen Temperaturen aus der
Saettigung rausbleibt? Laut Datenblatt liegt der BC337 in Deiner
Schaltung hoch, ist aber nur fuer hohe Stroeme angegeben.
http://www.fairchildsemi.com/ds/BC%2FBC337.pdf
Habe mal parallel noch eine mögliche Verbesserung mit Schottky gepostet,
die vielversprechend aussieht. Das obige Datenblatt vom BC337 ist
unvollständig, sämtliche Diagramme fehlen. Ja, so sehen oft die
Datenblätter aus, die man heute aus dem Internet bekommt

. In meinem
´78er Valvo-Datenbuch sieht das ganz anders aus, sowas war früher mal
teuer. Dort kann ich die Sättigungswerte auch tatsächlich im Diagramm
ablesen, hab ich ja so gemacht, stimmen mit der Simulation überein.
Quote:
Wie auch immer, ich wuerde so etwas mit Opamp plus FET machen, da ist
nix mit Saettigungsproblematik.
Ich finde Rafael's minimalistischen Ansatz nicht schlecht, weil im
Detail durchdacht und er müßte sich eigentlich auch großserienfest
machen lassen.
mfg Winfried
Joerg
Guest
Sat Feb 27, 2010 1:15 am
Winfried Salomon wrote:
Quote:
Hallo Joerg,
Joerg schrieb:
Winfried Salomon wrote:
Hallo Joerg,
Joerg schrieb:
[.....]
Auch das stimmt fast exakt überein, das ist die Sättigung des
bipolaren Transistors. Falls das stören sollte, könnte man noch das
machen:
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.-----------o
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50 pF | |
--- .-----o
--- | |
1.2K | | |
___ | - |
.----------|___|----o ^ |
| | | |
|\ | ___ | | |/
-| >O--' .----|___|----o-----o---| BC337
|/ | 1N4148 |
| 470 |
| |
=== ===
GND GND
(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05
www.tech-chat.de)
weiß jemand, was der Seamonkey 2.03 bei mir da macht? Das war doch
bisher nicht so

.
Vielleicht die Zeilenlaenge verstellen?
ist auf 72 Spalten eingestellt, geändert wurde seit langem nichts am
Profil. Scheint ein Problem der neuesten Version zu sein, die auch bei
Firefox auftritt. Müßte mal sehen, ob irgendwo 1 Email-Adresse für
Bugreport zu finden ist.
"New and improved" :-)
Ich bin bei Software schon oefter auf alte Versionen zurueckgegangen.
Quote:
Dann schaltet er schnell ab, allerdings ist dann die
Sättigunggsspannung deutlich größer, der Nachteil von bipolaren
Transistoren. Sie könnte dann je nach Exemplar zwischen 90-140 mV
liegen, wenn die Simulation stimmt. Eine Möglichkeit zur Verbesserung
sehe ich da nicht.
Aehm, sollte dort nicht eine Schottky hin? BAT54 laesst gruessen,
schoen
billisch :-)
Dann geht die Sättigungsspannung auf 0.5 V hoch, ich hab mal eins der
LTSpice-Modelle angehängt.
Stimmt, habe es mit 2N3904/3906 probiert weil BC nicht vorhanden. Nur ob
Q4 mit einer Si-Diode wirklich bei allen gaengigen Temperaturen aus der
Saettigung rausbleibt? Laut Datenblatt liegt der BC337 in Deiner
Schaltung hoch, ist aber nur fuer hohe Stroeme angegeben.
http://www.fairchildsemi.com/ds/BC%2FBC337.pdf
Habe mal parallel noch eine mögliche Verbesserung mit Schottky gepostet,
die vielversprechend aussieht. Das obige Datenblatt vom BC337 ist
unvollständig, sämtliche Diagramme fehlen. Ja, so sehen oft die
Datenblätter aus, die man heute aus dem Internet bekommt

. In meinem
´78er Valvo-Datenbuch sieht das ganz anders aus, sowas war früher mal
teuer. Dort kann ich die Sättigungswerte auch tatsächlich im Diagramm
ablesen, hab ich ja so gemacht, stimmen mit der Simulation überein.
Kommt noch dicker: Neuerdings veroeffentlichen Hersteller von PIN-Dioden
allen Ernstes Datenblaetter wo jegliche Angabe zur Carrier Lifetime
fehlt. Fiel mir echt nix mehr ein. Also sind hier seit langer Zeit
Uralt-Datenblaetter sauber alphabetisch archiviert und haben
Kleinod-Status. Das hat mir (und anderen) schon oefter aus der Patsche
geholfen.
Quote:
Wie auch immer, ich wuerde so etwas mit Opamp plus FET machen, da ist
nix mit Saettigungsproblematik.
Ich finde Rafael's minimalistischen Ansatz nicht schlecht, weil im
Detail durchdacht und er müßte sich eigentlich auch großserienfest
machen lassen.
Ja, und am Ende heiligt der Zweck eh die Mittel. Wenn es zuverlaessig
funktioniert sollte man nichts mehr dran verbessern muessen.
--
Gruesse, Joerg
http://www.analogconsultants.com/
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Rafael Deliano
Guest
Sat Feb 27, 2010 8:43 am
Quote:
aber das würde ein Aufbau erst wirklich zeigen.
Ich hab das Thema abgeschlossen.
Kommt als Anhang so hinter den EPROM/PROM-Artikel:
http://www.embeddedFORTH.de/temp/trapez.pdf
Heute löte ich an meinem 0,1 ... 30 Hz Sinus-Wobbler.
MfG JRD
horst-d.winzler
Guest
Sat Feb 27, 2010 9:09 am
Rafael Deliano schrieb:
Quote:
aber das würde ein Aufbau erst wirklich zeigen.
Ich hab das Thema abgeschlossen.
Kommt als Anhang so hinter den EPROM/PROM-Artikel:
http://www.embeddedFORTH.de/temp/trapez.pdf
Heute löte ich an meinem 0,1 ... 30 Hz Sinus-Wobbler.
MfG JRD
DDS oder Schwebungssummer ;-)
--
mfg hdw
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