D
Dreison
Guest
Hallo zusammen,
Ich bin gerade dabei ein Modell für einen Haupttransistor mit esd schutzsturkturen: Diode und Transistor zu erstellen. Den Haupttransistor habe ich mit SGP modelliert. der Schutztransistor habe ich einfach durch zwei dioden Modelliert: BE- und BC-Diode. Allerdings mit diesem subcircuit lässt sich die phase von S21 gar nicht an die Messungen anpassen. Eine mögliche Lösung wäre den schutztransistor auch durch ein SGP zu modellieren allerdings ist diese Lösung nicht sehr praktisch! Meine Frage wäre: liegst das Problem an der Modellierung vom schutztransistor? was muss man im subcircuit modell noch einbauen damit S21 besser modelliert werden kann?
Gruss
Ich bin gerade dabei ein Modell für einen Haupttransistor mit esd schutzsturkturen: Diode und Transistor zu erstellen. Den Haupttransistor habe ich mit SGP modelliert. der Schutztransistor habe ich einfach durch zwei dioden Modelliert: BE- und BC-Diode. Allerdings mit diesem subcircuit lässt sich die phase von S21 gar nicht an die Messungen anpassen. Eine mögliche Lösung wäre den schutztransistor auch durch ein SGP zu modellieren allerdings ist diese Lösung nicht sehr praktisch! Meine Frage wäre: liegst das Problem an der Modellierung vom schutztransistor? was muss man im subcircuit modell noch einbauen damit S21 besser modelliert werden kann?
Gruss