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Michael Schlegel
Guest
Hallo,
hier am Lehrstuhl wird gerade die Zuverlässigkeit von SRAM basierten
FPGA im Vergleich zu Flash basierten diskutiert.
Ein Flash Hersteller preist seine Flash-FPGAs als viel zuverlässiger
als "herkömmliche" SRAM FPGAs an. Und zwar sollen schnelle Neutronen,
die das Silizium treffen, Ladungsträger generieren. Diese Ladungsträger
bewegen sich durch das Si. Treffen diese auf einen pn-Übergang kann
dies einen Impuls auslösen, der z.B. ein FlipFlop umklappen läßt.
Trifft das Neutron auf die Oxidschicht im Flash so rekombinieren die
Ladungsträger ohne sich auszubreiten.
Soweit sogut, allerdings habe ich dieses Szenario in dieser Form nur
auf Veröffentlichungen eben jenes Flash-FPGA-Herstellers gefunden.
Ich kann mir allerdings nicht so richtig vorstellen, das ein paar
wabernde Elektronen in einem Floating-Gate einen Zustand zuverlässiger
halten können als eine SRAM-Zelle. Soweit ich das beurteilen kann, gibt
es keinen wirklichen physikalischen Unterschied zwischen der
Ladungsspeicherung
in EPROM, EEPROM und Flash. Und beim EPROM reichen ja schon ein paar
UV-Strahlen um die im Floating-Gate gespeicherten Ladungen durchs Oxid
zurücktunneln zu lassen.
Daher meine Fragen:
- Hat jemand firmeninteressenunabhängige Informationen/Quellen zu diesem
Thema?
- Beeinflussen Beta-, Gamma- oder Röntgen-Strahlen das Gate-Oxid ähnlich
wie UV-Strahlen?
Vielen Dank für Eure Antworten
Michael Schlegel
PS:
FollowUp auf de.sci.electronics gesetzt
--
Michael Schlegel
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology
Chemnitz University of Technology, Germany
http://www.tu-chemnitz.de/~micsch
hier am Lehrstuhl wird gerade die Zuverlässigkeit von SRAM basierten
FPGA im Vergleich zu Flash basierten diskutiert.
Ein Flash Hersteller preist seine Flash-FPGAs als viel zuverlässiger
als "herkömmliche" SRAM FPGAs an. Und zwar sollen schnelle Neutronen,
die das Silizium treffen, Ladungsträger generieren. Diese Ladungsträger
bewegen sich durch das Si. Treffen diese auf einen pn-Übergang kann
dies einen Impuls auslösen, der z.B. ein FlipFlop umklappen läßt.
Trifft das Neutron auf die Oxidschicht im Flash so rekombinieren die
Ladungsträger ohne sich auszubreiten.
Soweit sogut, allerdings habe ich dieses Szenario in dieser Form nur
auf Veröffentlichungen eben jenes Flash-FPGA-Herstellers gefunden.
Ich kann mir allerdings nicht so richtig vorstellen, das ein paar
wabernde Elektronen in einem Floating-Gate einen Zustand zuverlässiger
halten können als eine SRAM-Zelle. Soweit ich das beurteilen kann, gibt
es keinen wirklichen physikalischen Unterschied zwischen der
Ladungsspeicherung
in EPROM, EEPROM und Flash. Und beim EPROM reichen ja schon ein paar
UV-Strahlen um die im Floating-Gate gespeicherten Ladungen durchs Oxid
zurücktunneln zu lassen.
Daher meine Fragen:
- Hat jemand firmeninteressenunabhängige Informationen/Quellen zu diesem
Thema?
- Beeinflussen Beta-, Gamma- oder Röntgen-Strahlen das Gate-Oxid ähnlich
wie UV-Strahlen?
Vielen Dank für Eure Antworten
Michael Schlegel
PS:
FollowUp auf de.sci.electronics gesetzt
--
Michael Schlegel
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology
Chemnitz University of Technology, Germany
http://www.tu-chemnitz.de/~micsch